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MA4X86200LCTND Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Electricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4 MA4X86200LCT-ND
Características Principales
- Dos elementos eléctricamente independientes incorporados
- Capacitancia pequeña en diodos
- Baja resistencia dinámica hacia adelante
- Óptimos para un cambio de banda del sintonizador
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje inverso: 35 V
- Corriente directa: 100 mA (individual) 75 mA (doble)
- Temperatura operación: -25 a +85 °C
- Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C
Especificaciones Eléctricas Detalladas
- Voltaje directo: 1.0 V (a 100 mA)
- Corriente inversa: 100 nA (a 33 V)
- Capacitancia diodo: 1.2 pF (a 6 V 1 MHz)
- Resistencia dinámica directa: 0.65 ? (a 2 mA 100 MHz)
- Resistencia dinámica directa: 0.98 ? (a 2 mA medición alternativa)
Características Físicas
- Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
- Marca: SYSCOM
- Modelo: MA4X86200LCTND
- Conformidad: RoHS Directive (EU 2002/95/EC)
Aplicaciones Típicas
- Sintonizadores de banda
- Circuitos de conmutación de RF
- Equipos de comunicación
- Instrumentos de medición
Condiciones Máximas
- Temperatura ambiente: -25 a +85 °C
- Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C
- Voltaje de operación: Hasta 35 V
- Corriente de operación: Hasta 100 mA
Precauciones de Uso
- Cumplir con las normas de seguridad eléctrica
- Evitar sobrepasar los límites máximos de voltaje y corriente
- Considerar diseño redundante en aplicaciones críticas
- Proteger contra descargas electrostáticas (ESD)
Descripción Técnica
Diodos de conmutación de silicio epitáxico planar tipo MA4X862 (MA862) diseñados específicamente para aplicaciones de cambio de banda en sintonizadores. El paquete Mini4-G1 (TO-253-4) contiene dos elementos eléctricamente independientes permitiendo configuraciones duales en un solo componente. Con una capacitancia diodo de 1.2 pF a 6V y baja resistencia dinámica hacia adelante (0.65 ? a 2 mA 100 MHz) estos diodos ofrecen un rendimiento estable en aplicaciones de RF.
La construcción de silicio epitáxico planar proporciona una alta confiabilidad y estabilidad térmica con una temperatura operativa de -25 a +85 °C. La baja capacitancia y resistencia dinámica permiten una conmutación rápida y eficiente ideal para circuitos de selección de banda en equipos de comunicación y medición.
MA4X86200LCT-ND Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Electricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4 MA4X86200LCTND
06-06-2026 03:15:08 SSN1 U-13-Gn 200610
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